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100B111JTN300XC100產(chǎn)品簡(jiǎn)介
目前,關(guān)于100B111JTN300XC100產(chǎn)品的直接信息較為有限,但根據(jù)提供的參考文章和類似產(chǎn)品的信息,我們可以對(duì)該產(chǎn)品進(jìn)行一定的推測(cè)和概述。
制造商:該產(chǎn)品很可能由KYOCERA AVX生產(chǎn),因?yàn)閰⒖嘉恼轮卸啻翁岬搅薑YOCERA AVX生產(chǎn)的基于硅的射頻電容器/薄膜電容器,且格式與100B111JTN300XC100相似。
產(chǎn)品類型:基于硅的射頻電容器/薄膜電容器。這類電容器通常用于射頻(RF)和微波應(yīng)用中,具有低等效串聯(lián)電阻(ESR)和低等效串聯(lián)電感(ESL),能夠在高頻下提供穩(wěn)定的電容性能。
電容值:從產(chǎn)品編號(hào)中的“111”可以推測(cè),該電容器的標(biāo)稱電容值可能為110pF(或接近此值,具體取決于制造商的命名規(guī)則)。然而,這只是一個(gè)基于命名模式的推測(cè),實(shí)際值應(yīng)以產(chǎn)品規(guī)格書為準(zhǔn)。
額定電壓:從產(chǎn)品編號(hào)中的“300XC”可以推測(cè),該電容器的額定電壓為300V。同樣,這也是一個(gè)基于命名模式的推測(cè)。
容差:雖然具體容差值未直接給出,但類似產(chǎn)品通常具有容差范圍,如5%、10%等。具體容差值應(yīng)參考產(chǎn)品規(guī)格書。
封裝:基于硅的射頻電容器/薄膜電容器通常采用特定的封裝形式,如Waffle封裝等。具體封裝形式應(yīng)參考產(chǎn)品規(guī)格書。
尺寸:產(chǎn)品的具體尺寸將取決于其封裝形式。通常,這類電容器的尺寸較小,適合高密度集成。
射頻/微波應(yīng)用:由于該產(chǎn)品是基于硅的射頻電容器/薄膜電容器,因此它適用于各種射頻和微波電路,如無(wú)線通信設(shè)備、衛(wèi)星通訊設(shè)備、雷達(dá)系統(tǒng)等。
高性能電子系統(tǒng):這些電容器的高頻特性和穩(wěn)定性使它們成為高性能電子系統(tǒng)的理想選擇,如醫(yī)療電子設(shè)備、航空航天和系統(tǒng)等。
100B111JTN300XC100產(chǎn)品簡(jiǎn)介
目前,關(guān)于100B111JTN300XC100產(chǎn)品的直接信息較為有限,但根據(jù)提供的參考文章和類似產(chǎn)品的信息,我們可以對(duì)該產(chǎn)品進(jìn)行一定的推測(cè)和概述。
制造商:該產(chǎn)品很可能由KYOCERA AVX生產(chǎn),因?yàn)閰⒖嘉恼轮卸啻翁岬搅薑YOCERA AVX生產(chǎn)的基于硅的射頻電容器/薄膜電容器,且格式與100B111JTN300XC100相似。
產(chǎn)品類型:基于硅的射頻電容器/薄膜電容器。這類電容器通常用于射頻(RF)和微波應(yīng)用中,具有低等效串聯(lián)電阻(ESR)和低等效串聯(lián)電感(ESL),能夠在高頻下提供穩(wěn)定的電容性能。
電容值:從產(chǎn)品編號(hào)中的“111”可以推測(cè),該電容器的標(biāo)稱電容值可能為110pF(或接近此值,具體取決于制造商的命名規(guī)則)。然而,這只是一個(gè)基于命名模式的推測(cè),實(shí)際值應(yīng)以產(chǎn)品規(guī)格書為準(zhǔn)。
額定電壓:從產(chǎn)品編號(hào)中的“300XC”可以推測(cè),該電容器的額定電壓為300V。同樣,這也是一個(gè)基于命名模式的推測(cè)。
容差:雖然具體容差值未直接給出,但類似產(chǎn)品通常具有容差范圍,如5%、10%等。具體容差值應(yīng)參考產(chǎn)品規(guī)格書。
封裝:基于硅的射頻電容器/薄膜電容器通常采用特定的封裝形式,如Waffle封裝等。具體封裝形式應(yīng)參考產(chǎn)品規(guī)格書。
尺寸:產(chǎn)品的具體尺寸將取決于其封裝形式。通常,這類電容器的尺寸較小,適合高密度集成。
射頻/微波應(yīng)用:由于該產(chǎn)品是基于硅的射頻電容器/薄膜電容器,因此它適用于各種射頻和微波電路,如無(wú)線通信設(shè)備、衛(wèi)星通訊設(shè)備、雷達(dá)系統(tǒng)等。
高性能電子系統(tǒng):這些電容器的高頻特性和穩(wěn)定性使它們成為高性能電子系統(tǒng)的理想選擇,如醫(yī)療電子設(shè)備、航空航天和系統(tǒng)等。