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100B120GWN500XC100

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100B120GWN500XC100基于硅的射頻電容器/薄膜電容器 500V 12pF Tol 2% Las Mkg
ATC700B560GMS500X情

100B120GWN500XC100產(chǎn)品簡介

一、基本信息

  • 型號:100B120GWN500XC100

  • 制造商:雖未直接提及,但根據(jù)命名規(guī)則和類似產(chǎn)品推測,可能與AVX或其他電容器制造商相關(guān)。

二、技術(shù)規(guī)格

  1. 電容值:120pF

    • 容差:根據(jù)命名規(guī)則XC100推測,容差可能為±10%。

  2. 額定電壓:500VDC

  3. 封裝/外殼:具體封裝類型未提及,但基于AVX或其他制造商的常見封裝,可能是SMD/SMT封裝。

三、產(chǎn)品特性

  • 材料:多層陶瓷電容器(MLCC),帶有銅基金屬電極(BME)內(nèi)部電極。

  • 穩(wěn)定性:設(shè)計(jì)用于射頻/微波頻率、高射頻功率和光學(xué)應(yīng)用中,實(shí)現(xiàn)高性能。

  • 電氣性能:可能具有低ESR(等效串聯(lián)電阻)和ESL(等效串聯(lián)電感),以減少能量損失,提高電路效率。

  • 溫度系數(shù):具體溫度系數(shù)未給出,但基于多層陶瓷電容器的常見特性,應(yīng)具有穩(wěn)定的溫度性能。

四、應(yīng)用領(lǐng)域

  • 無線通信:適用于手機(jī)、基站等射頻電路,提供穩(wěn)定的電容值。

  • 雷達(dá)系統(tǒng):可用于雷達(dá)接收和發(fā)射模塊,滿足高頻應(yīng)用需求。

  • 高頻應(yīng)用:包括但不限于衛(wèi)星通信、測試測量設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備等高頻電路。


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100B120GWN500XC100產(chǎn)品簡介

一、基本信息

  • 型號:100B120GWN500XC100

  • 制造商:雖未直接提及,但根據(jù)命名規(guī)則和類似產(chǎn)品推測,可能與AVX或其他電容器制造商相關(guān)。

二、技術(shù)規(guī)格

  1. 電容值:120pF

    • 容差:根據(jù)命名規(guī)則XC100推測,容差可能為±10%。

  2. 額定電壓:500VDC

  3. 封裝/外殼:具體封裝類型未提及,但基于AVX或其他制造商的常見封裝,可能是SMD/SMT封裝。

三、產(chǎn)品特性

  • 材料:多層陶瓷電容器(MLCC),帶有銅基金屬電極(BME)內(nèi)部電極。

  • 穩(wěn)定性:設(shè)計(jì)用于射頻/微波頻率、高射頻功率和光學(xué)應(yīng)用中,實(shí)現(xiàn)高性能。

  • 電氣性能:可能具有低ESR(等效串聯(lián)電阻)和ESL(等效串聯(lián)電感),以減少能量損失,提高電路效率。

  • 溫度系數(shù):具體溫度系數(shù)未給出,但基于多層陶瓷電容器的常見特性,應(yīng)具有穩(wěn)定的溫度性能。

四、應(yīng)用領(lǐng)域

  • 無線通信:適用于手機(jī)、基站等射頻電路,提供穩(wěn)定的電容值。

  • 雷達(dá)系統(tǒng):可用于雷達(dá)接收和發(fā)射模塊,滿足高頻應(yīng)用需求。

  • 高頻應(yīng)用:包括但不限于衛(wèi)星通信、測試測量設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備等高頻電路。


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